В России разрабатывают уникальную установку, которая поможет совершить настоящий технологический прорыв в современной микроэлектронике. Этот передовой аппарат планируют собрать под Новосибирском на базе сверхмощного источника излучения 4-го поколения СКИФ, запуск которого ожидается к середине лета 2026 года. Новая технология позволит наладить массовый выпуск надежных и быстрых отечественных процессоров совершенно нового уровня. Президент России Владимир Путин ранее заявлял, что постарается лично посетить церемонию открытия этого важнейшего научного объекта.

Проект перспективного рентгеновского аппарата «Орел-7» представили сибирские ученые, сообщили в пресс-службе Новосибирского государственного университета. Использование такого оборудования мирового класса поможет отечественной промышленности успешно преодолеть технологический барьер в 28 нанометров. Эта цифра обозначает плотность размещения мельчайших деталей на микрочипе, и чем она меньше, тем мощнее и экономичнее получается электроника. В итоге наша страна получит полностью суверенную технологию для создания самых передовых микросхем.

Специальную рентгеновскую станцию построят прямо внутри кольца мощного сибирского ускорителя частиц, где можно будет детально изучить свойства любых материалов. Именно рентгеновское излучение с его короткими волнами позволяет выжигать сверхмелкие структуры на чипах, обеспечивая высочайшую точность рисунка. Применение таких технологий поможет не только сохранить высокую скорость производства сложных микросхем, но и сделает весь процесс значительно дешевле.

Для максимального ускорения процесса создания нового аппарата специалисты планируют активно использовать широкие возможности искусственного интеллекта. С его помощью будут создаваться точные цифровые копии будущего промышленного оборудования для проведения расчетов. К этой масштабной работе также привлекут ведущие научные институты, которые занимаются физикой полупроводников и сложным математическим моделированием.

Разработчики проекта подчеркивают, что масштабная совместная работа приведет к созданию передовой техники для уверенного рывка вперед. «Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров», — отмечают специалисты Центра искусственного интеллекта. Опытный образец сибирского аппарата поможет ученым досконально отработать все параметры, а параллельно аналогичную промышленную технику соберут в Зеленограде для быстрой настройки под нужды массового производства.